HBM排挤效应 DRAM涨势可期

Reported 6 months ago

最近在智能手机、PC和数据中心服务器上,用于暂时存储数据的DRAM价格上涨趋势有所停顿,买家拉货不积极,影响了DRAM报价走势。业者期待SK海力士、三星和美光等前三大HBM厂商增加产能,对一般型DRAM产生排挤效应,加上产业旺季来临,可带动DRAM价格再次上涨。其中,三星新一代HBM3E有望通过NVIDIA认证,2025年将正式投产,预计HBM产量将接近翻倍。随着DRAM市场需求和产品涨幅,HBM、DDR5、DDR4和DDR3排序,台湾南亚科和华邦电主要生产DDR3和DDR4,故在DRAM价格上涨循环中,獲利改善幅度不如前三大厂商。但随着HBM排挤效益扩大,一般型应用需求回暖,DDR4和DDR3价格上涨循环有望延续,并有利于南亚科和华邦电在2025年获利大幅改善。

Source: YAHOO

View details

You may also interested in these wikis

Back to all Wikis